トヨタの新半導体、「1ケタ高い」コストの壁に挑む

エコカー ハイブリッド

トヨタが20日、ハイブリッド車向けSiCパワー半導体を発表。右がSiCパワー半導体ウエハー
  • トヨタが20日、ハイブリッド車向けSiCパワー半導体を発表。右がSiCパワー半導体ウエハー
  • トヨタが20日、ハイブリッド車向けSiCパワー半導体を発表
  • トヨタが20日、ハイブリッド車向けSiCパワー半導体を発表
  • トヨタ自動車 第3電子開発部 濱田公守担当部長
  • トヨタが20日、ハイブリッド車向けSiCパワー半導体を発表
トヨタ自動車は5月20日に、デンソーおよび豊田中央研究所と共同で、シリコンと炭素の化合物であるSiC(シリコンカーバイド)を使ったパワー半導体を開発したと発表した。ハイブリッド車(HV)などの制御に使う次世代半導体だ。

現行のシリコンを材料にしたパワー半導体より高効率に制御できるため、将来はHVの燃費を10%程度引き上げることが可能という。トヨタは2020年ごろの実用化を視野に入れているが、課題はやはりコスト。第3電子開発部の濱田公守担当部長によると、現行のシリコン製より、まだ「1ケタ程度高い」という。

円盤状の素材であるSiCウエハー自体がまだ高価なのに加え、極めて硬質であるため「加工も非常に難しい」(濱田氏)からだ。SiCによるパワー半導体の開発は国家プロジェクトも推進中で、自動車業界からはトヨタのほか日産自動車とホンダも参画している。濱田氏はHVでのいち早い実用化を目指しており、量産加工技術の確立などによって「現行のシリコン並みのコスト実現に取り組みたい」と話している。
《池原照雄》

編集部おすすめのニュース

特集