新日鐵、HV・EV向けのSiCウェハが「半導体オブ・ザ・イヤー」受賞

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授賞式に参加した新日鐵・先端技術研究所新材料研究部の研究員
  • 授賞式に参加した新日鐵・先端技術研究所新材料研究部の研究員
新日本製鐵は18日、同社が開発した6インチ口径炭化ケイ素シリコン(SiC)ウェハが、半導体タイムズ社主催の「半導体オブ・ザ・イヤー」電子材料部門で「優秀賞」を受賞したことを発表した。

SiCウェハは、現在、半導体デバイスの製造に用いられているシリコンウェハに比べ、デバイスでの電力変換損失を半分以下に抑えることができる。また耐電圧性や耐熱性にも優れるため、太陽光発電やハイブリッド車、電気自動車など、高電圧・高温で使用されるパワーエレクトロニクス分野に適している。

新日鐵は、パワー半導体デバイスの量産・普及のキーとなる大口径のSiCウェハを開発した点が高く評価され、今回の受賞となった。
《纐纈敏也@DAYS》

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