三菱電機、EV・HEV向け小型パワー半導体モジュール2品種をサンプル提供

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J1シリーズ(表面)※画像は開発中のもの
  • J1シリーズ(表面)※画像は開発中のもの
  • J1シリーズ(裏面)※画像は開発中のもの
三菱電機は、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)用モーターのインバーター駆動に用いる自動車用パワー半導体モジュールの新シリーズとしてIGBTを6素子搭載した「J1シリーズ」2品種のサンプル提供を9月30日に開始する。

新製品は、6in1化したことで従来の2in1製品を3台使用した場合に比べ、実装床面積で約80%に縮小し、インバーターの小型化に貢献する。

また、CSTBTTM(Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor)構造を採用した第6世代IGBTの搭載により、コレクタ・エミッタ間飽和電圧を同社従来製品より約15%低減し、低消費電力化に貢献。さらに、冷却フィン一体の直接水冷構造により、同社従来品より放熱特性を40%向上し、自動車用インバーターの小型化・高信頼化に寄与している。

なお、同製品は5月14日から16日の期間、ドイツ・ニュルンベルグで開催される「PCIM(Power Conversion Intelligent Motion)Europe 2013」に出展する予定。

サンプル価格は、各6万5000円。
《村尾純司@DAYS》

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