【CEATEC 11】ローム、EV・HV向けSiCパワーモジュールを開発

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ロームは、電気自動車(EV)やハイブリッドカー(HEV)、産業機器のインバータ駆動向けにSiCデバイスの温度特性に対応した高温で動作可能なSiCパワーモジュールを開発した。

SiCパワーモジュールは、新開発の高耐熱樹脂を採用し、世界で初めてトランスファーモールド型で225度の高温動作を実現した。現在のSiデバイスを使ったモジュールと同様、小型・低コストのパッケージングが可能で、SiCモジュールの普及に貢献するとしている。

このモジュールは600V/100Aの3相インバータで、ロームのSiC-SBD、SiC-トレンチMOSFETを各6素子搭載した600V/100Aで、その225度までの駆動を確認した。

さらにこのモジュールは1200Vクラスまで搭載可能。これにより、従来のSi-IGBTモジュールと比べ大幅に損失を低減、小型化が可能なのに加え、これまでのケース型SiCモジュールと比較して大幅なコストダウンが可能となる。

製品は3~4年後の実用化を目指す。ゲートドライバICを搭載したIPMについてもこの技術を使ってトランスファーモールドDIPタイプで高温動作が可能な600V/50AまでのSiC搭載のIPMを今後、開発する予定。

開発成果は、10月4日~8日に千葉・幕張メッセで開催される「CEATEC JAPAN 2011」のロームブースで展示する予定。
《レスポンス編集部》

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