東芝デバイス&ストレージ、SiC MOSFETで低損失化と短絡耐量向上を両立する技術を開発 2枚目の写真・画像

プレミアム ビジネス
従来構造と本技術によるトレンチゲート型SiC MOSFETのオン抵抗の比較
《写真提供 東芝》 従来構造と本技術によるトレンチゲート型SiC MOSFETのオン抵抗の比較
Response.TV
  • 動画
  • 動画
  • 動画
  • 動画

特集