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東芝デバイス＆ストレージ、SiC MOSFETで低損失化と短絡耐量向上を両立する技術を開発 2枚目の写真・画像
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従来構造と本技術によるトレンチゲート型SiC MOSFETのオン抵抗の比較
《写真提供 東芝》 従来構造と本技術によるトレンチゲート型SiC MOSFETのオン抵抗の比較
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