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東芝デバイス＆ストレージ、SiC MOSFETで低損失化と短絡耐量向上を両立する技術を開発 1枚目の写真・画像
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Bottom p-wellを形成したトレンチゲート型SiC MOSFETの構造概略および今回の改良ポイント
《写真提供 東芝》 Bottom p-wellを形成したトレンチゲート型SiC MOSFETの構造概略および今回の改良ポイント
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