昭和電工は、ウェハー全面が世界最高水準の表面平滑性を持つ4インチ径のエピタキシャルウェハーの量産に成功した。
今回開発したSiCエピタキシャルウェハーは、従来品の表面粗度（表面の凹凸）1 - 2.5ナノメートルと比べ、粗度が0.4ナノメートルと、平滑性を最大で6倍近く向上した。SiCエピタキシャルウェハーは、SiC（炭化シリコン）基板の表面上に単結晶SiC層を成膜させた半導体材料。
SiCエピタキシャルウェハーを用いたパワー半導体は、高電圧大電流に耐えられる性質を持つなど、現在主流のSi（シリコン）半導体をしのぐ性能を持ち、軽量化・小型化にも寄与するため、自動車・鉄道車両・産業機器・家電機器など、さまざまな分野でのモーターの回転制御に利用されているインバーター（直流電流から交流電流に変換する装置）の主要な部品としての利用が期待されている。
同社はSiCエピタキシャルウェハーの一層の大口径化、低欠陥化、特性均一化の向上に加え、製造コスト低減に取り組むことで、大電流・高耐圧SiCパワー半導体普及に寄与するとともに、本格的な実用化が想定される2012年までに顧客ニーズに対応できる供給体制を構築する。
