レゾナックは、次世代エレクトロニクス材料である炭化ケイ素（SiC）において、直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長および基板加工に成功したと発表した。
300mm（12インチ）は、現在開発が進むSiC基板として世界最大級の口径であり（2026年8月時点での公表情報などによる同社調べ）、SiC基板およびSiCエピウェハーの大口径化・高品質化に向けた重要な技術的マイルストーンとなる。
SiCはパワー半導体において、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体と比べて電力変換時の損失や発熱が少なく、省エネルギー化に寄与する材料として注目されている。
