ローム、8インチSiC MOSFETの技術目標を2年前倒しで達成 電力損失50%以上低減を実証

開発した8インチSiCデバイス試作ウエハ(イメージ図)
  • 開発した8インチSiCデバイス試作ウエハ(イメージ図)
  • 8インチSiCデバイス製造ラインのあるローム・デバイスマニュファクチャリング株式会社筑後工場

ロームは、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)が実施するグリーンイノベーション基金事業「次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトにおいて、「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を当初計画より2年前倒しで達成したと発表した。

本事業は2022年度に開始され、2025年度をもって終了する予定だ。

ロームは今回の取り組みで、シリコン(Si)に比べて高温プロセスを要し製造難易度が高いとされるSiC(炭化ケイ素)において、8インチ化による大口径化とプロセス最適化により低コスト化を実現した。


《森脇稔》

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