インフィニオンが次世代SiC技術を2027年量産開始、EV向け電力密度40%向上

新技術に基づく最初の製品、インフィニオンID-PAKの車載トラクション・インバータ用1200V
  • 新技術に基づく最初の製品、インフィニオンID-PAKの車載トラクション・インバータ用1200V

ドイツの半導体大手インフィニオン テクノロジーズは、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス向けの新技術「トレンチスーパージャンクション(TSJ)」を発表した。

同社は25年以上にわたりシリコンベースのスーパージャンクション技術(CoolMOS)で培った経験を活かし、SiC分野でも革新的な技術を実現した。新技術により、400Vから3.3kVの幅広い電圧範囲で、自動車のドライブトレイン、EV充電、太陽光エネルギーシステム、エネルギー貯蔵などの用途をカバーする。

最初の製品は車載用トラクションインバーター向けの1200V製品で、インフィニオンID-PAKパッケージに収納される。この技術の主な利点は、RDS(on)×Aが最大40%向上することによる電力密度の増加だ。同じ電力クラス内でよりコンパクトな設計が可能になり、メインインバーターの電流能力を最大25%向上させることができる。


《森脇稔》

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