ルネサス、200MHzの高速ランダムアクセスを実現するフラッシュメモリ技術を開発 1枚目の写真・画像

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2015年2月25日（水） 15時30分

ルネサスのLSI（イメージ）

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ルネサスエレクトロニクス

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