EUV（極端紫外線）リソグラフィは、従来技術では実現が困難だった7ナノメートル未満の微細パターン形成を可能にする次世代半導体製造技術です。短波長の高精度な光を利用してシリコンウェハー上に回路パターンを形成することで、トランジスタ密度の向上、消費電力削減、処理性能向上を実現し、最先端チップ開発に不可欠な製造基盤となっています。
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AI時代の高性能チップ需要がEUV装置投資を押し上げる
データセンターやクラウドコンピューティング市場の拡大に加え、生成AIやAIアクセラレータ向け半導体への投資増加が、EUVリソグラフィ市場の主要な成長要因となっています。AI処理では膨大なデータを高速かつ効率的に処理する能力が求められるため、より高度なロジック半導体や高性能メモリの需要が急速に拡大しています。
特に5nm、3nm以下の先端プロセスノードへの移行が進む中、半導体メーカーは性能向上と省エネルギー化を両立するため、EUV対応製造設備への投資を強化しています。スマートフォン、ウェアラブル端末、ゲーム機、エッジコンピューティング機器など幅広い電子機器分野でも、高性能チップへの需要が継続しており、EUVリソグラフィ技術の適用領域は今後さらに拡大すると期待されています。
高NA EUVと先端光学技術が半導体微細化の新たな競争軸に
EUVリソグラフィ市場では、高NA（Numerical Aperture）EUV技術、次世代光源、高精度フォトマスク技術などの技術革新が市場発展を支える重要な要素となっています。これらの技術進歩により、5nmおよび3nmを超える次世代プロセスへの対応が可能となり、半導体メーカーはさらなるトランジスタ密度向上と演算性能強化を目指しています。
ファウンドリやIDM（統合デバイスメーカー）は、AI半導体、先進ロジック、次世代メモリ製造を目的としてEUV対応設備への投資を拡大しています。特に先端半導体製造能力の強化を進める北米やアジア太平洋地域では、EUV装置メーカーや関連サプライチェーンに大きな成長機会が生まれています。
高額な導入コストが市場普及における主要課題に
EUVリソグラフィ市場の成長を抑制する要因として、装置導入コストの高さが挙げられます。EUVシステムは、高度な光源、フォトマスク、フォトレジスト、スキャナーなど複雑な構成要素を必要とし、従来型リソグラフィ装置と比較して大幅な投資が必要となります。
また、フォトマスク保護用ペリクルの開発、装置保守、量産ラインへの展開など、技術面での課題も存在しています。そのため、現在のEUV導入は主に大手半導体メーカーや最先端ファブに集中しています。しかし、半導体性能向上への要求が高まり続ける中、これらの課題解決が進むことで、EUV技術は次世代半導体製造における標準的な基盤技術として重要性をさらに高めると考えられます。
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主要企業のリスト：
● ASML Holding NV
● NTT Advanced Technology Corporation
● Canon Inc
● Nikon Corporation
● Intel Corporation
● Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
● Samsung Electronics Co. Ltd
● Toppan Photomasks Inc
● ZEISS Group
● Ushio, Inc.
● その他の主要なプレイヤー
メモリ・データセンター市場の拡大が新たな成長機会を創出
EUVリソグラフィ市場では、データセンター向けメモリ技術の進化が大きな成長機会を生み出しています。NANDフラッシュやDRAMなどの高性能メモリは、スマートフォン、コンピューター、クラウドインフラなど幅広い分野で不可欠となっており、大容量化、高速化、省電力化への需要が高まっています。
EUVリソグラフィは、従来技術では困難だった高精度な回路形成を可能にし、次世代メモリデバイスの開発を支える重要技術となっています。AIデータセンターの拡大や高性能コンピューティング需要の増加により、先進メモリ製造向けEUV技術への依存度は今後さらに高まることが予想されます。
ファウンドリ主導の設備投資拡大が市場競争を形成
市場セグメントでは、装置分野においてフォトマスク関連技術への需要拡大が注目されています。EUVリソグラフィでは、回路パターンをウェハーへ正確に転写するフォトマスクの精度が製造品質や歩留まりに直結するため、次世代半導体製造における重要性が高まっています。
エンドユーザー別では、2025年時点でIDMが市場を牽引しています。一方、予測期間中はファウンドリ分野が大きな成長を遂げると見込まれています。AI、自動車、スマートフォン、高性能コンピューティング分野で先端半導体需要が増加する中、ファウンドリ各社はEUV対応設備への投資を拡大し、最先端チップ製造能力の強化を進めています。
最近の動向
● 2025年、ASMLは3台目となる高NA EUVリソグラフィ装置の出荷を発表し、インテル、TSMC、サムスン、マイクロンといった主要顧客から10～20台の受注残を抱えています。各装置の価格は約3億5000万ユーロです。高NA EUV装置の生産拡大は、次世代チップ製造に向けた市場の強力なシフトを示唆しています。しかし、高コストのため、導入はトップクラスのファブに限定され、業界大手企業に集中する可能性があります。
● 2025年、中国の研究者らは、レーザー誘起プラズマを利用した国産EUVスキャナーの開発において著しい進展を報告し、2025年第3四半期のパイロット生産、2026年の量産を目指しています。これが実現すれば、ASMLの独占体制を打破し、世界的な競争構造を一新するとともに、アジアにおけるEUV装置へのアクセスに関する地政学的圧力を緩和する可能性があります。
● 2024年、ASMLとベルギーのimecは、フェルトホーフェンに世界初のHigh-NA EUV研究ラボを開設しました。この施設にはTWINSCAN EXE:5000が設置されており、将来の2nm以下のノードに向けた早期プロセス開発が可能となります。このラボはHigh-NA EUVに向けたエコシステムの整備を加速させ、チップメーカーに早期のテスト機会を提供するとともに、商用化の展開を早めるものです。
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セグメンテーションの概要
装置別
● 光源
● 光学系
● マスク
● その他
エンドユーザー別
● 統合デバイスメーカー
● ファウンドリ
世界的な半導体製造強化政策と技術競争がEUV市場の未来を形成
地域別では、2025年に北米がEUVリソグラフィ市場を主導しました。強固な半導体エコシステム、先端製造設備への投資、主要半導体企業や研究機関の集積が成長を支えています。また、「米国CHIPS・科学法」などの政策支援により、5nm、3nm、将来的な2nm以下の半導体製造能力強化に向けた投資が進んでいます。
さらに、2025年にはASMLが高NA EUV装置の出荷拡大を進め、次世代チップ製造に向けた設備需要の高まりを示しました。2024年にはASMLとimecがHigh-NA EUV研究ラボを開設し、2nm以下のプロセス開発に向けた研究環境の強化も進めています。今後、EUVリソグラフィ市場は、AI時代の半導体競争力を左右する戦略的技術分野として、世界各地域でさらなる発展が期待されています。
EUVリソグラフィ市場：2035年に向けた半導体競争力を左右する次世代製造技術、企業が日本市場で築く戦略的優位性とは
● 先端半導体投資の加速により、EUVリソグラフィ市場は日本企業に新たな成長機会を創出する
EUVリソグラフィ市場は、2025年の121億6000万米ドルから2035年には250億8000万米ドルに達すると予測されており、2026年から2035年の予測期間にかけて年平均成長率（CAGR）8.28％で成長すると見込まれています。AI、高性能コンピューティング、5G/6G通信、自動車向け半導体、データセンター需要の拡大により、より微細で高性能な半導体製造技術への投資が世界的に加速しています。特に日本では、半導体サプライチェーン強化や先端製造能力の再構築が国家レベルの重要課題となっており、EUVリソグラフィ関連技術、材料、装置部品、精密加工分野において国内企業が競争優位性を確立できる大きな機会が広がっています。企業にとって2035年までの市場成長は単なる装置需要の拡大ではなく、次世代半導体エコシステムへの参入機会を意味しています。
● EUV技術を支える高精度材料・部品開発が日本企業の差別化ポイントになる
EUVリソグラフィは、極端紫外線（Extreme Ultraviolet）を利用して半導体回路を形成する最先端技術であり、7nm以下、さらに2nm世代以降の高度な半導体製造に不可欠な技術基盤となっています。この市場では、露光装置そのものだけでなく、フォトマスク、レジスト材料、ペリクル、光学部品、精密制御システムなど幅広い周辺技術が競争力を左右します。日本企業は長年培ってきた半導体材料、化学技術、精密加工、光学技術に強みを持っており、EUV対応材料や製造プロセス技術の高度化を通じてグローバル市場で重要な役割を果たす可能性があります。今後、企業が市場で優位性を確保するためには、単純な製造能力だけではなく、EUVプロセス全体を支える高付加価値技術への継続的な投資が重要になります。
● AI半導体需要の拡大がEUVリソグラフィ関連企業に長期的な事業成長機会を提供する
生成AI、機械学習、高度なデータ処理技術の普及により、半導体性能への要求水準は急速に高まっています。AI向けGPU、ASIC、高性能プロセッサでは、より小型化されたトランジスタ、高密度集積、高効率な電力管理が求められており、その実現にはEUVリソグラフィ技術が不可欠です。日本企業にとって、この需要拡大は半導体製造企業だけでなく、材料メーカー、装置サプライヤー、研究機関、精密機器メーカーにも新たなビジネス機会を生み出します。2035年に向けて競争力を高める企業は、AI時代の半導体需要を見据えた研究開発体制の強化、グローバル企業との連携、次世代製造技術への早期参入によって市場でのポジションを強化できると考えられます。
● 日本の半導体政策と国内製造基盤の強化がEUV関連ビジネスの競争環境を変革する
日本政府による半導体産業への戦略的支援、国内製造拠点の強化、研究開発投資の拡大は、EUVリソグラフィ市場の成長環境を後押ししています。先端半導体の国内生産能力向上を目的とした取り組みは、製造装置、材料、部品、検査技術など周辺産業全体への波及効果を生み出しています。企業が日本市場で競争優位を築くためには、政策支援を活用した技術開発、産学官連携、サプライチェーン強化が重要な戦略要素となります。特にEUV技術は高度な専門性と長期的な投資を必要とするため、早期から技術基盤を構築した企業ほど2035年以降の半導体産業において有利な立場を確立できる可能性があります。
● 2035年に向けてEUVリソグラフィ市場へ参入する企業が追求すべき競争優位戦略
EUVリソグラフィ市場における成功には、短期的な市場拡大への対応だけでなく、長期的な技術革新と産業エコシステムへの深い関与が求められます。企業は、高性能材料開発、製造プロセス最適化、AIを活用した半導体生産効率向上、グローバルパートナーシップ構築などを通じて独自の価値提供を強化する必要があります。特に日本企業にとっては、既存の材料技術や精密製造能力を活かしながら、EUV関連市場で専門性の高いポジションを確立することが重要です。2035年までの市場成長期間は、単なる需要拡大の局面ではなく、次世代半導体産業の主導権を巡る競争期間であり、先行投資と技術革新を進める企業が持続的な競争優位を獲得すると期待されます
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