三菱電機は、窒化ガリウム（GaN）基板上にGaNのエピタキシャル層（エピ層）を成膜した高周波トランジスタ（GaNトランジスタ）において、世界で初めて結晶欠陥に起因する周波数分散の影響を解明し、周波数分散を大幅に抑制できることを実証した。
これにより、GaN本来の高い性能を安定して引き出すことが可能になり、GaNトランジスタを使用した産業用マイクロ波加熱システムなど高周波機器の小型化、高性能化、省電力化に貢献するとしている。
■需要拡大するGaNトランジスタの課題
近年、廃プラスチックをケミカルリサイクルする産業用マイクロ波加熱システムや、5G/6G基地局、レーダーなどの高周波分野で、高出力・高効率なGaNトランジスタの需要が急速に拡大している。
