NXPセミコンダクターズは5月31日、放熱特性を強化した小型ロスフリーパッケージに封止した車載パワーMOSFETの新ライン「LFPAK33」を発表した。
LFPAK33は、パッケージ抵抗とインダクタンスを低減するために銅クリップ設計を採用し、MOSFETのオン抵抗とスイッチング損失を低下。また、現在普及しているソリューションに比べて設置面積を8割以上低減しており、車載モジュールのサイズ低減、エネルギー効率と信頼性向上に貢献するなど、高密度の車載アプリケーションに最適な製品となっている。
NXPセミコンダクターズは5月31日、放熱特性を強化した小型ロスフリーパッケージに封止した車載パワーMOSFETの新ライン「LFPAK33」を発表した。
LFPAK33は、パッケージ抵抗とインダクタンスを低減するために銅クリップ設計を採用し、MOSFETのオン抵抗とスイッチング損失を低下。また、現在普及しているソリューションに比べて設置面積を8割以上低減しており、車載モジュールのサイズ低減、エネルギー効率と信頼性向上に貢献するなど、高密度の車載アプリケーションに最適な製品となっている。